1

一种铜镁铜三层复合筒形件及其成型工艺

CN201810031497.1

2019.02.15

杜华云 陈洪胜 王文先 张媛琦 王晋凤 刘瑞峰

本发明提供一种铜镁铜三层复合筒形件及其成型工艺，属于复合筒形件成型旋压加工的技术领域，包括机械加工得到铜质外筒、镁合金中间筒和铜质内筒，打磨和清洗铜质外筒、镁合金中间筒和铜质内筒，对铜质外筒、镁合金中间筒和铜质内筒进行错距旋压加工。本发明采用正旋错距旋压技术制备铜镁铜三层复合筒形件，该复合筒形件以铜筒形件分别作为内外层材料，镁合金筒形件为中间材料，不仅可以达到内外壁耐腐蚀的效果，还可达到使产品质量轻盈、价格低廉的目的。

2

一种铝基氧化钆中子吸收板的制备方法

CN201711246116.3

2019.03.01

张 鹏 李 靖 王文先 陈洪胜 张宇阳 刘瑞峰

本发明涉及一种铝基氧化钆中子吸收板的制备方法，是针对核电站乏燃料储存格架中子辐射屏蔽的保护要求，采用铝粉、氧化钆粉、铜粉为原料，经粉末冶金制坯、轧制，制成致密的铝基氧化钆中子吸收板，中子吸收板为银白色，中子吸收率达95％，氧化钆分布均匀，颗粒与基体连接紧密，抗拉强度达170MPa，伸长率为12％，此制备方法工艺先进合理，参数准确翔实，是先进的制备铝基氧化钆中子吸收板的方法。

3

一种高耐压可降解镁基复合材料的制备方法

CN201710950091.9

2019.03.26

邓坤坤 牛浩伊 王翠菊 王晓军 聂凯波 张轩昌 梁  伟

一种高耐压可降解镁基复合材料的制备方法，涉及一种高耐压可降解镁基复合材料的制备方法，属于镁基复合材料技术及石油开采领域。本发明是为了解决目前镁合金作为制备压裂球的材料时有成本高、抗压强度低、降解时间过长和加工工艺复杂的技术问题。本发明：一、预处理碳化硅；二、熔铸镁合金、掺杂SiC颗粒；三、制备铸锭。为满足投球滑套分段压裂技术的需要，可分解压裂球在地下水等电解质溶液中应具有高的降解速率和高抗压强度的特点，本发明通过添加成本较低的金属元素及无污染的增强相，制备出低成本、高耐压、可快速降解的镁基复合材料，极大地改进了石油开采中压裂球的性能，具有很大的应用前景。

4

一种模拟镁合金等径角挤压工艺优化方法

CN201710716740.9

2019.03.26

牛晓峰 许春香 王晨晨 王 涵 王宝健 宋振亮 阎佩雯 梁 伟 陈福振

本发明涉及一种模拟镁合金等径角挤压工艺优化方法，是针对镁合金挤压变形进行的数值模拟研究，可以有效模拟镁合金等径角挤压过程中的裂纹萌生和扩展，能够较好地预测镁合金等径角挤压过程中产生的裂纹，验证了所建含有损伤预测的计算程序预测等径角挤压裂纹萌生和扩展的正确性，此方法可对金属材料在等径角挤压过程中的断裂进行预测，为工艺优化提供理论依据。

5

一种镍基块体非晶合金的制备方法

CN201710636397.7

2018.08.21

王文先 畅泽欣 葛亚琼 闫志峰 崔泽琴

本发明涉及一种镍基块体非晶合金的制备方法，是针对块体非晶合金制备难的情况，以镍基非晶薄带为材料，经制备模具、装模、真空热压烧结，制成镍基块体非晶合金，制备材料强度好，密度高，达99.8％，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，是先进的制备镍基块体非金合金的方法。

6

一种提高镁金属表面抗腐蚀性和耐磨性的方法

CN201710584187.8

2019.03.01

王  欣 赵丽丹 于盛旺   丁文强

本发明公开一种提高镁金属表面抗腐蚀性和耐磨性的方法，包括：（1）镁试样预处理；（2）将预处理好的镁试样放入双辉等离子渗金属炉设备的试样台上，调整石墨靶与样品的间距为15‑20cm（3）先用抽真空装置将真空室的气压抽至5Pa以下，然后通入惰性气体使真空室气压稳定在34Pa‑36Pa时，打开偏压电源并缓慢加至550V进行溅射清洗；（4）清洗完成后抽出残气，通惰性气体，当真空室气压稳定在34Pa‑36Pa时，打开偏压电源并缓慢加至550V，源极电压和阴极电压压差保持在250V，然后保温30min后随炉冷却2h，关闭惰性气体。本发明增大了靶间距，起到升温效应和细化晶粒目的，且减小了对试样表面的破坏性。

7

一种纤维增强硼铝屏蔽复合材料的制备方法

CN201710583500.6

2018.12.11

陈洪胜 王文先 张宇阳 陈 伟 张 鹏 万世鹏

本发明涉及一种纤维增强硼铝屏蔽复合材料的制备方法，是针对铝合金具有良好的耐热中子、慢中子及射线辐照的性能，采用铝合金为基体，以硼和硼纤维为中子吸收剂，硼纤维还具有强化作用，采用钨作为γ射线吸收剂，碳化硅纤维作为增强体，在合金内部添加钛形成高强度钛铝合金，采用真空热压成型，制成纤维增强硼铝屏蔽复合材料，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的纤维增强硼铝屏蔽复合材料内部硼纤维、碳化硅纤维分布均匀，具有良好的屏蔽中子和吸收γ射线的功能，是先进的核屏蔽复合材料的制备方法。

8

一种低温批量合成黑磷纳米片材料的方法

CN201710557192.X

2019.03.08

田  跃 田 彬 田碧凝

本发明公开了一种直接、液相、低温合成黑磷纳米片的方法，属于黑磷二维材料技术领域。该方法通过溶剂热的方法，在反应釜中装入白磷与乙二胺，待白磷完全溶解后，将反应釜密封，并置于烘箱中加热至60‑140℃，恒温12个小时。待反应停止后，即可得到纯相的黑磷纳米片。本发明操作简单、成本低廉，便于工业化大批量生产，所制备的黑磷纳米片具有纯度高，产率为70%等优点，可以广泛应用于光电器件、催化等领域。

9

一种液相法制备锑烯的方法

CN201710470089.1

2018.10.23

赵 敏 位兵伟 张 华 曹海亮 郭俊杰

一种液相法制备锑烯的方法，通过将片状β‑锑与植酸的水溶液混合，依次经超声裂解处理和离心处理后，将产物的上清液中分散大量单层或少层锑烯。本发明可大量生产最低至单层的锑烯，方法成本低，产量高，有利于对锑烯的进一步科学研究及推广应用。

10

利用离子液辅助制备锑烯的方法

CN201710470088.7

2019.02.22

赵  敏 王志元 曹海亮   张 华 郭俊杰

本发明涉及一种利用1‑乙基‑3甲基咪唑三氟乙酸盐液相辅助制备锑烯的方法，属于新型无机二维材料制备领域。本发明利用简单的离子液液相辅助剥离的方法，将锑粉剥离得到了少层锑烯。本发明的制备方法具有简单易操作，制备得到的锑烯具有质量高、浓度大等特点，且所利用的离子液具有绿色环保，可回收重复利用等优点。

12

基于GaN六棱锥阵列的LED外延结构及其制备方法

CN201710371893.4

2018.12.25

贾 伟 仝广运 樊  腾 李天保 余春燕 许并社

本发明涉及半导体领域，所述的一种LED外延结构，包括衬底、形核层、非掺杂GaN层、n型GaN层以及在n型GaN层上的多孔SiN x 层；还包括形成在多孔SiN x 层孔洞处的n型GaN六棱锥阵列，以及位于六棱锥顶点处的量子点、六条棱上的量子线和在六个半极性（10‑11）晶面上的多量子阱层，最后是p型GaN填充层。GaN六棱锥与在其上不同位置处形成的量子点/线/阱层构成三维核壳结构。该结构发光面积大，光提取效率高，而且由于In含量的不同和极化效应等因素的影响，量子点/线/阱结构的发光波长也不同，可以通过合理的控制实现白光发射。GaN六棱锥阵列制备过程中无需图形化衬底，工艺流程简单，同时生长出的GaN晶体质量高，能有效提高LED的发光效率。

13

抑烟型阻燃PET复合材料及其制备方法

CN201710358870.X

2019.03.08

牛 梅 薛宝霞 杨永珍 宋英豪 彭 云 杨雅茹 白  洁 刘旭光

本发明公开了一种抑烟型阻燃PET复合材料及其制备方法，是将CMSs与MP均匀掺混在PET基体材料中制备得到，其中，CMSs与MP的总质量占PET复合材料质量的1～3%，且PET复合材料中CMSs与MP的质量比为1∶0.5～4。本发明的阻燃PET复合材料不仅可以提高材料的极限氧指数，而且可以明显降低材料燃烧过程中的生烟量及生烟速率，是一种既具有阻燃又具有抑烟效应的PET复合材料，且可明显减弱对PET机械性能的恶化。

14

一种发橙红光的碳量子点基荧光薄膜的制备方法

CN201710319833.8

2018.12.11

杨永珍 王军丽 刘旭光 王亚玲 张 峰 许并社

本发明涉及一种发橙红光的碳量子点基荧光薄膜的制备方法，是针对固态碳量子点易发生由团聚引起的荧光猝灭的情况，以对苯二胺为碳源，无水乙醇为溶剂，采用热法合成制备单基质碳量子点乙醇溶液，经硅胶色谱柱提纯、真空干燥，制成碳量子点，以碳量子点为基质材料，与N‑β‑(氨乙基)‑γ‑氨丙基三甲氧基硅烷混合，经超声分散混合、旋涂成膜，真空干燥，制成发橙红光的碳量子点基荧光薄膜，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的碳量子点基荧光薄膜在365‑525nm的激发波长下发光波长为588nm，发橙红光，是先进的制备发橙红光的碳量子点基荧光薄膜的方法。

15

一种增强镁合金管材的往复反挤压加工方法

CN201710310039.7

2018.07.17

张 华 张 强 侯忞健 樊建锋 董洪标 许并社

本发明涉及镁合金管材性能增强及加工方法的改进，具体涉及一种增强镁合金管材的往复反挤压加工方法。本发明通过新型往复反挤压加工方法，在立式液压挤压机上，在模具型腔内、加热状态下，对镁合金管材进行往复反挤压，镁合管材在往复反挤压过程中壁厚保持不变，发生等截面转角变形，管材向相反方向流动，内径与外径发生变化，通过累积变形实现镁合金管材的剧烈塑性变形，使晶粒组织细化、致密，以增强镁合金管材的性能，扩大镁合金管材的应用领域与范围。

16

一种制备超细晶镁合金管材的往复挤压加工方法

CN201710310040.X

2018.07.17

张  华 王利飞 侯忞健 樊建锋 董洪标 许并社

本发明涉及一种制备超细晶镁合金管材的往复挤压加工方法，属于有色金属塑性加工与增强力学性能的技术领域。本发明的目的是针对现有超细晶镁合金制备技术中存在的仅能制备块体材料，无法满足日益增加的对超细晶镁合金管材的需求情况，在卧式液压往复挤压机上，在模具型腔内、加热状态下对镁合金管材进行往复挤压加工，镁合金管材在往复挤压过程中内径与外径发生变化，产生连续的等截面转角变形，通过连续往复挤压累积变形使镁合金管材经受剧烈塑性变形，使晶粒组织细化、致密，以获得具有增强力学性能的超细镁合金管材，扩展镁合金的使用范围与应用领域。

17

一种长周期有序堆垛结构相增强镁钆锌钙铝合金板的制备方法

CN201710280523.X

2018.05.29

边丽萍 赵元亮 王力鹏 熊 佳 翟利军 曾航航 梁 伟 赵兴国

本发明涉及一种长周期有序堆垛结构相增强镁钆锌钙铝合金板的制备方法，是针对铸态镁钆锌合金中长周期有序堆垛结构相形成难的问题，采用在镁钆锌合金中掺杂钙、铝元素，采用真空熔炼、氩气底吹保护、浇铸成锭，诱导长周期有序堆垛结构相LPSO相的形成，制成铸态长周期有序堆垛结构相增强镁钆锌钙铝合金锭；经真空热挤压时效制成高性能长周期有序堆垛结构相增强镁钆锌钙铝合金板增强型产物，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，产物纯度好，达99.6％，强度达417MPa，伸长率为12％；铸态镁钆锌钙铝合金的腐蚀电压为‑0.447V，腐蚀电流密度为5.528×10 ‑6 A/cm²，较未加Ca、Al合金腐蚀电压提高3倍、腐蚀速率降低500倍。

18

一种荧光/磷光混合白光OLED

CN201710279394.2

2019.03.19

苗艳勤 赵 波 王科翔 贾虎生 刘旭光 高 龙 王忠强 郝玉英 王 华 许并社

一种荧光/磷光混合白光OLED，其发光层由非掺杂的蓝色荧光材料构成的不少于2层的荧光发光层及嵌入在所述荧光发光层之间的磷光发光层组成，任意一层磷光发光层由厚度不大于0.1nm的单一磷光材料构成，所有磷光发光层不同颜色磷光材料发出的混合光与蓝色荧光材料发出的蓝光互补，不同颜色磷光发光层之间被1～3nm的蓝色荧光发光材料隔开，发光层总厚度小于30nm。通过改变超薄磷光发光材料嵌入蓝色荧光发光层的顺序或者不同颜色超薄层的厚度，改变不同颜色发光材料之间的能量传递，可以很容易地改善白光OLED的发射光谱，获得较理想的白光发射。

20

一种大孔-介孔有序镁-铝复合氧化物材料及其制备方法

CN201710253428.0

2019.02.12

潘大海 于  峰 李居英   陈树伟 崔杏雨 朱淑英 陈 伟   李瑞丰

本发明涉及一种大孔‑介孔有序镁‑铝复合氧化物材料及其制备方法，是将无机酸、有机羧酸、嵌段共聚物非离子表面活性剂、镁源及铝源溶解于无水乙醇中，密封高压下溶剂热预处理，加入有机高聚物微球，于开放状态下挥发溶剂及450～750℃下焙烧后，得到具有有序大孔‑介孔结构的镁‑铝复合氧化物材料。本发明制备的镁‑铝复合氧化物材料具有网状三维有序的大孔结构及高度规整有序的二维六方介孔结构、较大的比表面积和孔体积，大孔及介孔孔径均一可调，且碱性镁物种可在介孔孔壁内达到原子水平上的高度均匀分散。所述镁‑铝复合氧化物材料具有较高的热稳定性，且能有效提高其对有机大分子的碱催化转化性能。

21

一种有序氧化铝介孔材料及其制备方法

CN201710253429.5

2018.10.02

潘大海 朱淑英 陈树伟 于 峰 崔杏雨 陈 伟 李瑞丰

本发明涉及一种有序氧化铝介孔材料及其制备方法，是将无机酸、有机羧酸、嵌段共聚物非离子表面活性剂及铝源溶解于无水乙醇中，密封高压下溶剂热预处理，开放状态下挥发溶剂，400～650℃焙烧得到有序氧化铝介孔材料。本发明制备的介孔材料具有高度有序的二维六方介孔结构、较大的比表面积和孔体积，以及较高的热稳定性，其比表面积200～450m²/g，孔体积0.3～1.2cm³/g，介孔孔径在5.0～20.0nm范围内可调，经1000℃高温焙烧1h后，结构性能未发生变化，比表面积和孔体积降低分别小于40%和47%。

22

一种碳化硼梯度含量的铝基层状中子屏蔽板的制备方法

CN201710230708.X

2018.08.21

陈洪胜 王文先 张宇阳 邓坤坤 闫志峰 张媛琦

本发明涉及一种碳化硼梯度含量的铝基层状中子屏蔽板的制备方法，是针对高含量碳化硼铝合金基复合材料塑性变形难的弊端，采用铝合金为基体材料，由外层向内层碳化硼含量逐渐升高的方式，采用真空烧结技术制备中子屏蔽板的坯料，经热挤压和热轧制，制成碳化硼梯度含量铝基层状中子屏蔽板，此方法工艺先进，数据精确翔实，制备的层状中子屏蔽板抗拉强度达240MPa，延伸率达6.3％，可做核防护的中子屏蔽材料使用，是先进的制备层状梯度金属基复合材料的方法。

23

一种制备纳米化Mg₃Sb₂热电材料的方法

CN201710210428.2

2018.10.26

张 强 樊建锋 张 华 许并社

本发明涉及一种制备纳米化Mg₃Sb₂热电材料的方法，它包括以下步骤：（1）按Mg _3(1+0.04) Sb ₂各原子化学计量比进行称量，然后将其研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；（2）将步骤（1）所得块体密封于玻璃管中，再将其放入反应炉中，得到单相Mg₃Sb₂化合物；（3）将上述所得产物研磨成粉末，进行氢化脱氢处理（HDDR，hydrogenation–disproportionation–desorption–recombination），得到纳米化的Mg₃Sb₂热电材料。本发明首次将氢化脱氢方法应用到纳米化Mg ₃ Sb ₂ 热电材料的制备中，为今后更多Mg基热电材料的HDDR纳米化制备打下良好的基础。

24

一种镁基多孔复合材料的制备方法

CN201710194891.2

2018.10.16

崔泽琴 李伟健 程银龙 马丽莉 宫殿清 王文光

本发明涉及一种镁基多孔复合材料的制备方法，针对多孔镁及镁合金降解速率过快、降解过程中力学性能无法保证的弊端，采用β相磷酸钙和镁锌锆为原料，以氯化钠晶体为造孔剂，通过制粉、配料，真空等离子放电烧结制成镁基多孔复合材料块体，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的镁基多孔复合材料为块体，其密度为1.02g/cm³，孔隙率达到60％，孔径≤450μm，弹性模量为35GPa，符合人体骨骼性能参数，可满足临床医学的骨科植入材料使用，是先进的镁基多孔复合材料的制备方法。

25

一种高强度TiC_0.7N_0.3-HfN材料及制备方法

CN201710168097.0

2018.06.12

宋金鹏 高姣姣 梁国星 曹 磊 谢俊彩 姜龙凯 高 杰 吕 明

本发明涉及高强度陶瓷刀具领域，具体为一种高强度TiC_0.7N _0.3‑HfN材料及制备方法，解决了现有TiCN基陶瓷材料复合时存在力学性能降低、工艺复杂且不利于产业化的问题。一种高强度TiC_0.7N   _0.3‑HfN材料，是由如下质量百分比的原料组成：TiC _0.7 N   _0.3 59%‑77%，HfN 12%‑30%，Ni 2%‑8%，Mo 3%‑9%。本发明采用多元复合的方法，大大提高了材料的综合力学性能，硬度介于20GPa‑25GPa，抗弯曲强度介于1590MPa‑1790MPa，断裂韧度介于8.0MPa·m^1/2‑10.0MPa·m^1/2 ，而且利用真空热压烧结法，工艺简化，成本低，利于产业化生产，适合于切削加工难加工材料。

26

一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法

CN201710140872.1

2019.01.25

卢太平 朱亚丹 许并社 周小润

本发明公开了一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，该材料结构包括在蓝宝石衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/两部法的低温GaN/高温GaN组成的多量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层和p型接触层。其中两部法的低温GaN盖层包括第一阶段的低温GaN生长过程中不通入H₂气体；第二阶段的低温GaN盖层生长过程中通入H₂气体。本发明采用两部法的低温GaN不仅能够有效的避免H 2 气体直接对In原子的刻蚀，避免InGaN阱层中In含量的降低，还能够降低低温盖层中的位错、杂质，V形坑等缺陷密度，提高晶体质量，从而提高GaN基LED的内量子效率的目的。

28

一种纳米碳化钛颗粒增强生物镁基复合材料的制备方法

CN201710138404.0

2018.08.21

聂凯波 郭亚超 邓坤坤 徐芳君

本发明公开了一种纳米碳化钛颗粒增强生物镁基复合材料的制备方法，将预制体加入液态镁合金中，对升温至熔点以上70℃的掺杂纳米碳化钛颗粒预制体的镁合金熔体同步施加超声振动作用下的机械搅拌，有效解决了纳米碳化钛颗粒的均匀分布问题，实现了外加纳米碳化钛颗粒均匀分布；将第一步所得到的铸态纳米碳化钛颗粒增强生物镁基复合材料置于加工模具中加热、保温，进行超声复合变温热压，在材料内部造成高密度的晶格缺陷，并且超声复合变温热压过程中超声波可促进晶粒细化，而纳米颗粒可阻碍镁合金晶粒长大，在超声复合变温热压和纳米颗粒的作用下，可以使纳米碳化钛颗粒增强生物镁基复合材料强韧性得到显著提高。

29

一种TiC_0.7N_0.3-HfB₂超硬材料及制备方法

CN201710105748.1

2018.05.25

宋金鹏 高姣姣 梁国星 安 晶 高  杰 姜龙凯 曹 磊 谢俊彩 王时英 吕  明

本发明涉及高硬度陶瓷刀具领域，具体为一种TiC_0.7N_0.3‑HfB₂超硬材料及制备方法，解决了现有TiCN基陶瓷材料复合时存在力学性能降低、工艺复杂且不利于产业化的问题。一种TiC_0.7N_0.3‑HfB₂超硬材料，是由如下质量百分比的原料组成：TiC_0.7N_0.3 66%‑82%，HfB₂   10‑20%，Ni 4‑8%，Mo 2‑6%。本发明在保持材料复合后断裂韧度和抗弯强度提高的基础上，保证了材料的高硬度特性，而且利用真空热压烧结法，工艺简化，成本低，利于产业化生产，适合于切削加工高硬度的材料。

30

一种多孔碳纳米管的制备方法

CN201710036962.6

2018.08.17

刘伟峰 刘旭光 杨永珍 郭俊杰 许并社

本发明涉及一种多孔碳纳米管的制备方法，是针对碳纳米管易团聚、分散性差、比表面积低的问题，以碳纳米管做原料，经配制溶液、超声分散处理、酸氧化、冷冻干燥、真空烧结、酸浸泡、洗涤抽滤、真空干燥，制成多孔碳纳米管，此制备方法工艺先进快捷、数据精确翔实，产物为黑色粉体，粉体颗粒直径≤60nm，孔隙分布在碳纳米管表面，孔隙直径≤10nm，产物纯度达99.5％，比表面积提高520％，是先进的制备多孔碳纳米管的方法。

31

一种锆合金表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法

CN201710026560.8

2019.01.22

章海霞 侯 莹 郭俊杰 魏丽乔 王永祯 李中奎 周 军 石明华 马 琼 黄增鑫

一种锆合金表面石墨烯钝化处理防腐涂层的方法是采用微波等离子体化学气相沉积法在锆合金表面原位生长石墨烯保护层，然后将锆合金/石墨烯样品置于原子层沉积设备的反应腔，进行碳化硅的沉积。由于原子层钝化颗粒碳化硅对悬键特别敏感，会优先沉积在石墨烯的缺陷位置，在石墨烯的孔洞、晶界处形成分散的团簇，而不是连续的薄膜，将石墨烯的缺陷进行钝化，从而实现石墨烯对锆合金的完全保护。本方法简单成本低，获得的薄膜保护性能优良，在核用锆合金的防腐领域具有潜在的应用价值。

32

一种应用溶胶凝胶法在AZ31表面制备甲基纤维素/羟基磷灰石复合涂层

CN201611214243.0

2019.03.12

杜华云 安艳丽 刘苗苗

本发明涉及一种应用溶胶凝胶法在AZ31表面制备甲基纤维素/羟基磷灰石复合涂层。一种应用溶胶凝胶法在AZ31表面制备甲基纤维素/羟基磷灰石复合涂层，以甲基纤维素为添加剂，Ca(OH)₂和Ca(H₂PO₄)₂·H₂O为原料，通过溶胶凝胶法在AZ31镁合金表面制备了厚度约60μm的甲基纤维素‑羟基磷灰石(MC‑HAP)复合涂层。通过溶胶凝胶法在AZ31镁合金表面制备出的MC‑HAP复合涂层不仅提高了膜层与基体的结合力，降低孔隙率，而且使膜层对基体的保护作用得到增强，是一种较好的制备羟基磷灰石涂层的方法。

33

一种层状梯度中子吸收材料的制备方法

CN201611204683.8

2018.10.02

陈洪胜 王文先 张宇阳 邓坤坤 闫志峰 李宇力 苏连朋

本发明涉及一种层状梯度中子吸收材料的制备方法，是针对高含量碳化硼和稀土氧化物铝合金基复合材料塑性变形困难的弊端，采用铝合金为外层材料，由外层向内层碳化硼和稀土氧化物含量逐渐升高的方式，采用等离子放电烧结技术制备中子吸收材料坯料，在液压压力机上热挤压，经轧机热轧制成层状梯度中子吸收材料，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的中子吸收材料抗拉强度达240MPa，伸长率达6.3%，抗腐蚀性能可提高70%，可做核防护的中子吸收材料使用，是先进的制备层状梯度金属基复合材料的方法。

34

一种掺杂二硼化钛的耐磨镁合金的制备方法

CN201611157765.1

2018.03.27

王翠菊 邓坤坤 康金文 聶凯波 徐芳君 白 岩

本发明涉及一种掺杂二硼化钛耐磨镁合金的制备方法，是针对镁合金强度低、硬度低、耐高温性能差、耐磨性能差的情况，在镁合金中掺杂二硼化钛，经真空熔炼、浇铸成锭、加压凝固、固溶处理、低速热挤压，制成耐磨镁合金，提高了镁合金的强度、硬度、韧性及耐磨性能，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，耐磨镁合金硬度达250HV，耐磨性能好，最大摩擦系数为0.536，是先进的制备耐磨镁合金的方法。

36

一种高熵非晶基体复合材料及其制备方法

CN201611107234.1

2018.06.19

王永胜 武荣风 令狐嵘凯

乔珺威

一种高熵非晶基体复合材料及其制备方法，属于复合材料技术领域，其成分为(Ti‑Zr‑Hf‑Nb‑Cu)100‑xBex，x为Be元素所占的原子数百分比，x≤40%，其它元素所占的原子数百分比为：Ti为12%~16.67%；Zr为12%~16.67%；Hf为12%~16.67%；Nb为12%~16.67%；Cu为12%~16.67%。先熔炼Hf和Nb为中间合金，然后在将中间合金与Ti，Zr，Cu，Be元素置于一起反复熔炼，获得具有高强度、高塑性等优良力学性能的高熵非晶基复合材料。

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一种纳米晶镁合金块的制备方法

CN201611074968.4

2018.10.16

樊建锋 张 强 张 华 刘亚芬 董洪标 许并社

本发明涉及一种纳米晶镁合金块的制备方法，是针对镁及镁合金力学性能低的情况，先将镁合金粉进行氢化处理，制成纳米晶镁合金粉，然后进行等离子放电烧结，制成纳米晶镁合金块，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，纳米晶镁合金块金相组织致密性好，晶粒细化，致密度达99.34％，晶粒尺寸≤15nm，拉伸强度达320MPa，均匀性好，是先进的纳米晶镁合金块的制备方法。

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一种WC-TaC-C_sf强韧性材料及其制备方法

CN201611049277.9

2018.06.12

宋金鹏 安 晶 高姣姣 聂 勇 梁国星 姜龙凯 王时英 吕 明

本发明涉及高速切削用强韧性陶瓷刀具领域，具体为一种WC‑TaC‑Csf强韧性材料及其制备方法，解决了现有陶瓷刀具存在脆性强且韧性和强度较低的问题。一种WC‑TaC‑Csf强韧性材料，是由如下质量份数的原料组成的：WC 82‑92.5份，TaC 1‑4份，C sf 0.5‑2份，Ni 6‑12份。本发明具有如下有益效果：保持了陶瓷刀具较好的机械性能和耐高温性能的同时，克服了陶瓷刀具的脆性，有效提高了其韧性和强度，具有工艺简单、成本低且有利于产业化的优点，适合于高速切削加工领域。

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一种增强增韧型镁铝硅锌合金板的制备方法

CN201611015759.2

2018.04.10

梁  伟 郑留伟 李线绒   卫爱丽

本发明涉及一种增强增韧型镁铝硅锌合金板的制备方法，是针对镁合金强度低、塑性差、耐腐蚀性差、热稳定性差的缺陷，采用在镁合金中掺杂硅及有色金属中间合金，经真空熔炼、热辊轧成型、热处理回火，制成增强增韧型镁铝硅锌合金板，此制备方法工艺先进，数据精确翔实，制备的镁铝硅锌合金板的金相组织致密性好，硬度达80HV，抗拉强度达340MPa，塑性韧性好，可在多种工业领域应用，是先进的制备增强增韧型镁铝硅锌合金板的方法。

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微米阵列LED制备方法

CN201610984382.5

2018.07.31

许并社 韩 丹 马淑芳 刘培植 贾 伟 王美玲 柳建杰

一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先利用小束流离子束观察芯片，选取芯片的刻蚀区域。步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀。步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀。步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片。步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。